RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3544
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link