RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
47
Около -147% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3499
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link