RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
19.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3650
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link