RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
47
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2590
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link