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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
11.8
15.1
写入速度,GB/s
8.0
9.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2590
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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