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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
15.1
写入速度,GB/s
12.0
9.8
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2590
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
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