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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
42
读取速度,GB/s
14.4
12.7
写入速度,GB/s
9.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2701
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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