RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
42
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2701
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF552C40-16 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link