RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
47
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3756
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link