RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1933
3632
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link