RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1933
2157
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link