Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

45 49

Около 8% меньшая задержка

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 49
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 15.8
Скорость записи, Гб/сек

7.8 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2673

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

модули RAM