RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
71
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1767
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link