RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3086
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link