RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
45
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2938
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link