Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 45

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 32
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 16.5
Скорость записи, Гб/сек

7.8 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2847

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

модули RAM