RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Сравнить
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против AMD R948G2806U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Средняя оценка
AMD R948G2806U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R948G2806U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
4.2
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
985
2802
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link