RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2462
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link