RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2960
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link