RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2960
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link