RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2960
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link