RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.1
    テスト平均値
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 50
    周辺 -117% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 1,457.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    3,757.3 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,457.4 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    557 left arrow 2960

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAMの比較

Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
メモリRAM