RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3127
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link