Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 45

Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.7 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 39
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 15.7
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2958

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Kingston X5H5PW-MIB 8GB

Kingston X5H5PW-MIB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

модули RAM