Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 45

Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.2 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.2 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 33
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 13.2
Скорость записи, Гб/сек

7.8 10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2511

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB

Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

модули RAM