RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3293
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link