RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
22.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3697
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link