RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3169
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-091.A00LF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link