RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12
8.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около -18% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
8.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
1999
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link