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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12 left arrow 8.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.0
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 45
    En -18% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.0 left arrow 8.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1939 left arrow 1999

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