RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
92
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2483
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link