RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
92
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2483
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Mushkin 994083 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link