RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
45
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2735
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link