RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
3559
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link