RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
2949
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link