Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Kingston 9905598-025.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.2 6.8

Среднее значение в тестах

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 44

Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 13

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 25
Скорость чтения, Гб/сек

13.0 13.4
Скорость записи, Гб/сек

8.2 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2069 2045

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

модули RAM

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9905678-026.A00G 8GB

Kingston 9905678-026.A00G 8GB

модули RAM