RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
55
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
55
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
2701
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link