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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
55
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
55
读取速度,GB/s
13.0
15.8
写入速度,GB/s
8.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2701
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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