RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3693
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link