Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 45

Около -125% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.7 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 20
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 18.7
Скорость записи, Гб/сек

8.0 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 3652

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

модули RAM