RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

总分
star star star star star
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 45
    左右 -125% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.7 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 18.7
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1992 left arrow 3652

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
内存RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
内存RAM