Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 45

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 17.3
Скорость записи, Гб/сек

8.0 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 3332

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

модули RAM

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM