RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2372
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link