RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
44
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
17
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
21.2
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3714
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link