RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
44
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
17
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3714
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link