RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
44
Rund um -159% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
17.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3714
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link