RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1633
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link