RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1633
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link