RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1633
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link