RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3283
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link