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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3283
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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