RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3563
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link